eDRAM

外部DRAMモジュールや、主にキャッシュとして使われるトランジスタベースのSRAMと対比される。 DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。

• IBM - POWER7
• インテル - Core i7 (第4世代以降)、 Core i5 (第5世代以降)、 Core i3 (第6世代以降)のIris搭載一部CPU^[1]

ゲーム機 （家庭用ゲーム機）

• ソニー・コンピュータエンタテインメント - PlayStation 2、PlayStation Portable
• 任天堂 - Wii、ゲームキューブ
• マイクロソフト - Xbox 360

パーソナルコンピュータ

• Intel 810DC（チップセット内蔵グラフィックに4MBのeDRAMを搭載）
• YAMAHA YMF704C（DSPに1MBのeDRAMを搭載）

など。

1. ^ 「Intel Iris (Plus) Graphics xxx」（xxxの中には任意の数字が入る）という表記で、Grahicsの表記の後に数字が入るIrisがeDRAM搭載となる。数字のないIrisはeDRAM非搭載。

• HBM (High Bandwidth Memory)
• 半導体メモリ
• DRAM (Dynamic Random Access Memory)
• マイクロプロセッサ

• 日本アイ・ビー・エム株式会社 - ホームページ （日本語）
• インテル株式会社 - ホームページ （日本語）

1. ^ 「Intel Iris (Plus) Graphics xxx」（xxxの中には任意の数字が入る）という表記で、Grahicsの表記の後に数字が入るIrisがeDRAM搭載となる。数字のないIrisはeDRAM非搭載。